忆联发布数据中心级 SSD UH711a，E3.S 形态单盘容量最高 15.36TB

 12 月 26 日消息，忆联今日发布了数据中心级 NVMe SSD——UH711a 以及 UH711a E3.S 形态。该系列产品使用自研控制器与长江存储 128L 3D NAND，专为数据中心级业务场景而设计。其中，UH711a 单盘容量最高达 7.68TB。

忆联表示，UH711a 支持 PCIE Gen4 接口，针对数据中心级业务场景及负载 Workload IO 模型，在各类场景可提供全面的性能优化能力，产品顺序读写性能达 7200/4500 MB/s，随机读写性能达 1700/230K IOPS。同时，针对互联网典型应用场景，UH711a 采用软化架构设计，并优化 IO 路径 DB、FSP、HAS 和 LDPC 等硬件资源配置，提升后端 NAND 颗粒并发效率，保障互联网典型应用场景盘片性能。

据介绍，UH711a 通过 SR-IOV 技术优化云业务虚拟机场景。SR-IOV2.0 进一步优化了 Nand 物理层隔离度，VF 间的性能隔离度更好，随着隔离度的提高在纯读写及混合场景下分别优化到了 3% 和 5%，目前忆联 SR-IOV 性能及隔离度已达业界第一。

这款产品采用全新 K-mean 智能聚类算法，提供更精细的数据类型识别颗粒度，进一步提高 GC 时的效率，使 SSD 系统性能最大可提升 20%。通过在盘片内部将 2 种数据写入不同的流，降低盘片的写放大系数，提升全生命周期的稳态性能以及保障产品生命周期后期阶段的可靠性。此外，UH711a 还支持 DIF、NS 管理等 OCP2.0 规范，不仅与系统配合实现端到端的保护，也能在盘内实现独立的端到端的保护机制。

此外，忆联称依托公司自主封测技术，UH711a 通过使能自封 TLC 介质，在不牺牲性能及可靠性的前提下大幅度降低介质应用成本，挖掘介质的原生潜力，提供更好的 IO 性能。

了解到，忆联还推出了 UH711a E3.S 形态，长 112.75mm、宽 76mm、厚度为 7.5mm，单盘容量最高达 15.36TB，支持 NVMe 1.4。使用新形态后，产品顺序读写性能高达 7200/4400 MB/s，随机读写性能高达 1700/240K IOPS。该系列产品将于 2023 年实现量产。

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