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2022-12-21 10:10 来源:it之家 作者:佚名
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12 月 21 日消息,三星电子今日宣布,已成功开发出其首款采用 12 纳米(nm)级工艺技术打造的 16Gb DDR5 DRAM,并与 AMD 一起完成了兼容性方面的产品评估。
三星表示,这一技术突破是通过使用一种新的高介电(high-k)材料来增加电池电容,以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。
三星数据显示,结合先进的多层极紫外(EUV)光刻技术,新款 DRAM 拥有三星最高的 Die 密度(Die density),可使晶圆生产率提高 20%。基于 DDR5 最新标准,三星 12nm 级 DRAM 将解锁高达 7.2 千兆每秒(Gbps)的速度。
能效方面,与上一代三星 DRAM 产品相比,12nm 级 DRAM 的功耗降低约 23%。
了解到,随着 2023 年新款 DRAM 量产,三星计划将这一基于先进 12nm 级工艺技术的 DRAM 产品扩展到更广泛的市场领域。
以上就是手游巴士为您提供《三星宣布首款 12 纳米级 DDR5 DRAM 开发成功,速度达 7.2Gbps》的详细内容,更多精彩内容请继续阅读上一篇《1799 元起,大上科技首款 6.7 英寸墨水屏手机显示器 Link 开售》2022-12-21 蔚来第三代换电站将于 12 月 24 日的 NIO Day 2022 发布
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