台积电第二代 3nm 工艺到来，N3E 芯片已流片

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10 月 26 日消息，Alphawave 公司表示，其已经流片（Tape out）了业界首批使用台积电 N3E 制造技术（第二代 3 纳米级工艺节点）的芯片之一。该芯片已由台积电生产，并成功通过了所有必要的测试，将于本周晚些时候在台积电的 OIP 论坛上展示。

该芯片是 Alphawave IP ZeusCORE100 1-112Gbps NRZ / PAM4 串行器-解串器（SerDes），支持未来几年将流行的众多标准，包括 800G 以太网、OIF 112G-CEI、PCIe 6.0 和 CXL3.0。据称，SerDes 支持超长的通道，为下一代服务器提供灵活的连接解决方案。

Alphawave 公司总裁兼首席执行官 Tony Pialis 称：“Alphawave 很荣幸成为首批利用台积电最先进的 3 纳米技术的公司之一。我们的合作关系将继续带来创新的高速连接技术，为最先进的数据中心提供动力，我们很高兴能在台积电 OIP 论坛活动中展示这些解决方案。”

台积电计划在未来两到三年内推出五种 3 纳米级工艺技术，第一代 3nm 工艺 N3 预计将被台积电的大客户苹果用于少数设计，而第二代 3nm 工艺 N3E 将具有改进的工艺窗口，这意味着有更快的产出时间，更高的产量，更高的性能和更低的功耗。

N3E 预计将比 N3 更广泛地被采用，但其大规模生产计划在 2023 年中期或 2023 年第三季度开始，大约在台积电使用其 N3 生产节点启动大批量制造（HVM）一年后。

了解到，在台积电明年开始 N3E HVM 之后，其计划再提供三个 3 纳米级节点，包括面向性能的 N3P，用于需要高晶体管密度的芯片的 N3S，以及用于性能要求高的应用的 N3X，如微处理器。

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