联发科与美国普渡大学合作成立半导体芯片设计中心

联发科今（29）日宣布与美国普渡大学合作，在印第安纳州西拉法叶成立半导体芯片设计中心，并初步计划朝芯片设计学位课程、下一代计算和通信芯片设计等方向展开先进前瞻技术的研究合作。

据台媒《经济日报》报道，联发科已经与全球及美国顶尖大学合作发展先进研究近20年，而本次与普渡大学的合作又是另一突破。新的半导体设计中心直接设立在校园内，让该校学生有机会看到自己的创新研究融入一个全球IC设计公司的產品设计或解决方案的一环。此次合作也将为印第安纳州吸引高阶半导体设计人才。

联发科资深副总经理陆国宏博士表示，联发科致力创新发展，长期与全球顶尖大学、研究机构及一流学者人才交流合作，借由本次联手我们将接触到顶尖的工程研究人才，培植未来半导体设计领域的新血，强化联发科在尖端科技产业的技术能量。半导体产业正经历巨大的成长，我们需要最优秀的人才持续创新突破，本次合作是联发科扩展在美运营发展的关键策略之一。

【来源：集微网】