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2025-01-06 09:59 来源:快科技 作者:快科技
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1月6日消息,据报道,三星DS部门存储业务部最近完成了HBM4内存的逻辑芯片设计。Foundry业务部方面也已经根据该设计,采用4nm试产。
HBM,即高带宽存储器,凭借其卓越的性能,在高性能计算(HPC)、人工智能(AI)以及图形处理(GPU)等前沿领域发挥着举足轻重的作用。

据知情人士透露,运行时发热一直是制约HBM发展的主要障碍,而在整个堆栈结构中,逻辑芯片更是发热的“重灾区”。因此,采用先进的制程技术对于提升HBM4的能效与性能表现至关重要。
在制造方面,三星不仅利用自家4nm技术制造逻辑芯片,还引入了10nm制程来生产DRAM,以打造更为出色的HBM4产品。
从行业数据来看,HBM4标准支持高达2048位的接口和6.4GT/s的数据传输速率。与HBM3E相比,HBM4的单个堆栈带宽已飙升至1.6TB/s,这一显著的提升使得内存系统的数据吞吐能力大幅增强,从而能够更有效地满足人工智能、深度学习、大数据处理以及高性能计算等领域对内存性能的严苛要求。
目前,三星的HBM4开发工作正稳步推进,预计将于2025年下半年正式投入量产。

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