紫光公开嵌入式多层SeDRAM内存：带宽、能效遥遥领先

7月3日消息，近日的VLSI 2023技术与电路研讨会上，西安紫光国芯公开发表技术论文《基于小间距混合键合和mini-TSV的135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit嵌入式多层阵列DRAM》，展示了西安紫光国芯在SeDRAM方向的最新突破。

本年度的VLSI会议共收到全球投稿632篇，最终录取212篇，只有2篇来自中国内地企业，其中1篇就是西安紫光国芯的贡献的。

西安紫光国芯的新一代多层阵列SeDRAM，相较于上一代单层阵列结构，主要采用了低温混合键合技术(Hybrid Bonding)、微型硅穿孔(mini-TSV)堆积技术。

这种内存的每Gbit(十亿比特)由2048个数据接口组成，每个接口的数据速度都达到541Mbps，最终实现了业界领先的135 GBps/Gbit带宽、0.66 pJ/bit能效，基于此实现了逻辑单元和DRAM阵列三维集成。

2020年，西安紫光国芯发布了第一代SeDRAM技术，之后实现了多款产品的大规模量产，而这次发布的新一代多层阵列SeDRAM技术，实现了更小的电容电阻、更大的带宽和容量，可广泛应用于近存计算、大数据处理、高性能计算等领域。