Intel全新堆叠式CFET晶体管技术曝光 工艺向0.2nm进军

5月24日消息，近日在比利时安特卫普举行的 ITF World 2023大会上，英特尔技术开发总经理 Ann Kelleher 介绍了几个关键领域最新技术发展，其中就包括了英特尔将采用堆叠式 CFET 晶体管架构，这也是英特尔首次公开介绍新的晶体管设计，但并未提及具体的量产时间表。

在2021年创新技术大会上，英特尔公布了 Intel 20A 制程将采用基于 Gate All Around（GAA）技术 RibbonFET 晶体管架构，以取代 2011 年沿用至今的 FinFET 晶体管架构。

新技术提升晶体管开关速度，占用空间更少，可以达成与FinFET结构相同驱动电流水准。Ann Kelleher 表示，RibbonFET 将在 2024 年量产。

英特尔还展示下一代 GAA 堆叠式 CFET 晶体管架构，将允许堆叠8个纳米片，是 RibbonFET 的4个纳米片的两倍，将进一步提升晶体管密度。

CFET 电晶体将 n 和 p 两种 MOS 元件堆叠在一起，以达成更高的密度。英特尔正在研究两种 CFET晶体管，也就是单片式和顺序式，但未确定最后采用哪种 CFET晶体管，或还有其他类设计出现。

英特尔表示，凭借CFET晶体管技术，2032年将有望进化到5埃米（0.5nm），2036年将有望实现2埃米（0.2nm），CFET晶体管架构类型还会发生变化，也是不可避免的。

不过，英特尔只是概述电晶体技术大概发展蓝图，并没有分享太多细节，未来应该还会陆续公开更多信息公布。

责任编辑：宪瑞