三星2nm工艺弯道超车台积电 专家表态：真不行

5月5日消息，对于立志要在2030年成为全球半导体市场老大的三星来说，他们在内存及闪存上的竞争力没有问题，但在逻辑芯片制造上大幅落后于台积电，特别是先进工艺，为此三星希望在5年内超越台积电。

该公司高管表示，在4nm节点，三星落后台积电2年时间，3nm节点大约落后1年，但是三星的2nm工艺得到了客户的认可，后者对他们的GAA晶体管技术很满意，几乎所有大公司都在与三星合作。

但是三星5年赶超台积电的目标没有得到所有人的认可，台湾智库的研究员、总监刘佩真就不看好三星，他认为三星去年6月份就宣布了3nm GAA工艺量产，但是良率提升很慢，以致于三星争取到客户非常有限。

三星虽然通过降价等策略抢了一部分客户，比如AMD或者谷歌的4nm订单，但这些客户依然是依赖台积电代工，他们在良率及稳定性上还是要比三星高的。

在晶圆代工市场上，台积电的份额高达58.5%，三星位列第二，但份额只有15.8%，三星想弯道超车台积电，还有很长一段路要走。