“将半导体制造得更高”…… 三星、SK海力士、176层NAND量产倒计时

2022-01-21 10:12 来源：互联网作者：熊小姐

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根据市场情况和产品特定策略调整时间表

扩大数据中心等的使用策略专注于技术开发以应对

日益增长的SSD需求

三星电子中国西安半导体工厂的一名员工正在检查3D NAND 闪存。/ 三星电子提供

NAND闪存堆叠的竞争正在加剧。随着对高性能、大容量固态硬盘 ( SSD ) 需求的增加，半导体公司正在加速超高层 NAND 闪存的量产。三星电子和SK海力士将于今年第一季度开始量产176层（第 7 代）NAND 闪存SSD产品。

据半导体行业21日消息，三星电子和SK海力士将于今年第一季度开始量产176层NAND闪存并发布产品。这是为了将其在数据中心的用途扩展到智能手机、笔记本电脑和可移动存储设备 ( USB ) 等消费者用途之外。

NAND闪存是可以存储数据的存储半导体之一。与断电后数据消失的 DRAM 不同，NAND 闪存即使在断电时也可以半永久地存储数据。半导体公司正在研究各种方法来增加存储半导体的容量。一个典型的例子是通过缩小电路线宽来增加存储数据的单元容量的超精细工艺。

SK Hynix开发的176层512Gb（千兆位）TLC（三级单元）4D NAND 闪存。

内存堆叠技术是指垂直堆叠单元，与超精细工艺不同。与接近物理减小线宽极限的超精细工艺不同，堆叠技术具有不受物理限制的优势，因为单元垂直堆叠在无限空间中。目前量产的NAND闪存最先进的技术是128层堆叠。这意味着半导体单元堆叠成128层。三星电子和SK海力士正在销售基于128层 NAND 闪存的SSD。

以被称为下一代技术的176层 NAND 闪存为例，其生产率比上一代128层 NAND 闪存高35 % 。可以进一步增加半导体产量。同时，数据读取速度和传输速度也分别快了20 % 和30 %。它是在10秒内移动一部全高清电影 ( 5GB ) 的速度。美国美光是

手游巴士（www.shouyoubus.com）2022年01月21日讯:176层NAND闪存量产竞争中最先进的公司。美光去年11 月，它宣布计划量产176层 NAND 闪存，击败三星电子和SK海力士。业内人士认为，美光从本月初开始量产176层NAND闪存，有悖于计划，但不可否认是全球首创。美国经济媒体福布斯称，“美光本月早些时候量产了全球首款基于176层 NAND 闪存的SSD产品（Micro 2400 ）。”