高通骁龙835旗舰芯PPT泄露 确认8核2.45GHz+千兆基带

几天之前，高通发布一张预热宣传图称，将会在 1 月 5 日正式开始的 CES 2017 国际消费电子展会上，正式公布 Snapdragon 835 处理器的细节详情，包括 CPU 内核设计，GPU 图形处理器单元和相关组件等将公之于众。不过，临近发布会有新干货泄露的事情已经不是一两次了，高通 Snapdragon 825 的部分演示幻灯片已经被泄露到了网络上。

这组泄露的 PPT 再次确认，Snapdragon 835 旗舰处理器将采用三星的 10 纳米 FinFET 工艺打造，并且在新工艺的帮助下，与之前 Snapdragon 801 相比功耗降低了 50%。不过高通之前也确认，Snapdragon 835 与上一代 14 纳米 FinFET 工艺的芯片 820 相比，芯片尺寸不仅减少了 30% ，而且在此基础上还能实现  27% 的性能提升，或高达 40% 的功耗降低。


一些细节显示，Snapdragon 835 是一枚八核心设计的处理器，4 + 4 的结构，4 个大内核主频为 2.45GHz，小内核则是 1.9GHz，均是自主定制的 Kryo280 架构。与此同时，集成的 GPU 是 Adreno 540，号称渲染速度相比上一代快了 25%，支持的色彩也是上一代的 60 倍，同时还支持硬解 10-bit 的 4K@60fps 视频，支持 4K  HEVE H.265 10-bit 视频解码，支持 OpenGL ES、Vulkan 和 DirectX 12。

接着根据 PPT  了解，Snapdragon 835 将会是全球第一枚集成千兆级 LTE 调制解调器的 SoC 系统级芯片，其调制解调器的型号为 X16 LTE。另外，Snapdragon 835 也将支持生物识别技术的安全性，支持 UFS 2.1 出处，支持 LPDDR4x 四通道内存，支持 Quick Charge 4 快速充电技术，支持双摄像头，摄像头可提供更快的对焦速度等等。


无论如何，Snapdragon 835 在更小的尺寸内集成了更多的功能，有助于各大智能手机厂商打造出机身更薄、电池容量更大、续航更长且性能更强的新旗舰产品。我们期待高通在 CES 上公布更多细节，更希望能够有搭载 Snapdragon 835 芯片的设备发布。