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2022-12-11 15:12 来源:网络 作者:佚名
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12 月 11 日消息,三星电子 Foundry 代工部门高级研究员朴炳宰本周四在“2022 年半导体 EUV 全球生态系统会议”上发表了演讲。
他表示,到 2026 年,全球 3 纳米工艺节点代工市场将达到 242 亿美元规模,较今年的 12 亿美元增长将超 20 倍。
目前,三星电子是唯一一家宣布成功量产 3 纳米芯片的公司,随着三星电子、台积电、英特尔等半导体大厂开始引进 EUV 设备,工艺技术不断发展,预计 3 纳米工艺将成为关键竞争节点。
根据 Gartner 数据,截至今年年底,在晶圆代工市场中占据最大份额的是 5 纳米和 7 纳米工艺,市场规模 369 亿美元,未来其份额将逐步由 3 纳米所取代。他表示,“随着 14 纳米 FinFET 工艺的推出,三星电子已经上升到代工市场的第二位。”
据称,3 纳米节点需要新的器件结构以提升性能,率先实现量产 3nm 工艺的三星使用了环栅(GAA)晶体管结构的 MBCFET 技术,较 FinFET 性能功耗有明显改善。
“就 FinFET 而言,性能随着引脚数量的增加而提高,但功耗的增加超出了性能的提高幅度”,他表示,“另一方面,MBCFET 的效率要高得多,因为它们在相似的水平上提高了性能和功率。”
具体来说,在 FinFET 技术中性能提升 1.3 倍但功耗也会随着上涨 2.2 倍,而在 MBCFET 中,性能提高 1.7 倍时,功耗只会增加 1.6 倍,相对来说效率更高。
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